Влияние подрешеток на химическую связь в соединениях оксидов и сульфидов щелочных металлов Кемеровский государственный университет Научный руководитель: Журавлев Юрий Николаевич, Доцент, к. ф.-м. н. Вопрос о формировании химической связи в кристалле представляется достаточно изученным. Наиболее наглядным изображением этого процесса является распределение валентной электронной плотности в различных кристаллографических плоскостях. В настоящей работе для иллюстрации образования химической в оксидах и сульфидах щелочноземельных металлов предлагается использовать метод подрешеток [1]. Суть метода подрешеток состоит в следующем. Кристаллическая решетка разбивается на совокупность подрешеток, состоящих из атомов одного сорта, связанных между собой элементами симметрии пространственной группы кристалла. Поскольку подрешетка строится из нейтральных атомов, то она является электронейтральной; геометрические параметры её полностью соответствуют кристаллическим. Далее, вычисляется самосогласованным образом валентная электронная плотность всего кристалла и каждой из его подрешеток. Если мы теперь вычислим разностную плотность как разность полнокристаллической и всех подрешеточных, то очевидно, она будет показывать перенос электронного заряда от одной подрешетки к другой. Вычисление электронной плотности Распределение полной валентной электронной плотности в MA (M: Mg, Ca; A: O, S) характеризуется ее значительной локализацией на анионе. Форма атомного электронного облака, которую можно оценить по последнему замкнутому контуру ![]() Рассмотрим вклады подрешеточных плотностей в полноэлектронную. Подрешетка из атомов кислорода формирует максимальную плотность ![]() Плотность от подрешетки из атомов металла равномерно распределена в пространстве. Максимальное ее значение для атомов магния приходится на середину линии связи Mg-Mg в MgO и ближе к ядру магния в MgS. Меньшая часть передается на позиции, где должны располагаться атомы кислорода, а минимальное значение приходится на сами ядра металла. Подрешетка из атомов кальция создает максимальную плотность на позициях атома. Кроме того, на самом атоме металла она, в отличие от Mg, не является сферической, а имеет вид, характерный для p-, d-орбиталей. Таким образом, мы предполагаем значительное участие p - виртуальных орбиталей Mg и p-, d-орбиталей атома кальция в формировании валентной электронной плотности и, следовательно, химической связи MA.На рис. 1 в качестве иллюстрации представлена разностная плотность ![]() рис. 1 Таким образом, элементарный заряд с атомов катиона передается на атомы серы, что говорит о преимущественно ионном характере химической связи в этом соединении. Однако наличие максимумов на линии связи Mg-S свидетельствуют о некоторой доли ее ковалентной составляющей. В оксидах кальция и магния максимум разностной плотности приходится на ядра кислорода и, следовательно, они являются чисто ионными соединениями. Выполненные в настоящей работе расчеты электронной плотности в MA (M: Mg, Ca; A: O, S) позволили установить следующее:
Список публикаций: [1] Журовлев Ю. Н., Поплавной А. С. Журнал структурной химии, №2, с. 211-217, 2001 г. [2] Журовлев Ю. Н., Басалаев Ю. М., Поплавной А. С.Изв. вузов. Физика, №3, с.96, 2000 г. |
(c) АСФ России, 2001 |