Вход не произведен [Вход ]
Вниз

Версия для печати  
Автор Тема IX конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПД...
Гюльчатай
Фельдмаршал
*****


Аватар


Сообщения: 1472
Зарегистрирован: 2-5-2004
Откуда: Владивосток
Пользователя нет на форуме

Настроение: ехидное

biggrin.gif размещено 4-2-2005 в 07:23
IX конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ - 2005)


IX конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ - 2005)

Конференция поддержана ДВО РАН, проект ¦ 05-III-Д-02-007
Направление Д - плановые международные, российские и региональные конференции, проводимые ДВО РАН

ОРГАНИЗАТОР
• Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН

МЕСТО И ВРЕМЯ
IX конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов состоится в г. Владивостоке с 18 по 21 мая 2005 года

ВАЖНЫЕ ДАТЫ
- представление трудов до 30 марта 2005 года
- второе извещение и программа - до 1 мая 2005 года

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
1. Поверхность, низкоразмерные системы и наноструктуры
2. Полупроводниковые пленки и приборные структуры
3. Диэлектрические материалы: структура и свойства
4. Структура и морфология покрытий и сред
5. Процессы в магнитных средах
6. Экспериментальные установки и методики исследований

ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ТРУДОВ
Труды конференции (электронная копия) должны быть представлены по электронному адресу: galkin@iacp.dvo.ru


ОФОРМЛЕНИЕ ТРУДОВ
Объем трудов должен составлять 4 - 5 страниц, включая рисунки. Текст трудов должен быть представлен готовым к публикации (шрифт Times New Roman, в редакторе Word любых ранних версий включая Word 2000) и прислан в электронном виде для печати. Формат страницы: А4; поля: левое, правое v 25 мм, верхнее, нижнее v 15 мм. Интервал полуторный. Название доклада v 14 жирным, ЗАГЛАВНЫМИ БУКВАМИ (центрирован), ФИО v 12 жирный, ФИО докладчика - подчеркнуто, указание организаций, которые авторы представляют, включая электронный адрес того, с кем будет вестись переписка. Далее через 2 интервала резюме, текст с разбиением на разделы). Рисунки должны быть выполнены на компьютере и встроены в текст. Ссылки на литературу в тексте обозначаются в прямых скобках [1], [2] и т.д. Список литературы отделяется от текста пустой строкой.
Литература
1. Сидоров А.С. Физика и техника полупроводников, 31, 8 (1997) 969.
2. R. A. Smith, Semiconductors, Cambridge University, Cambridge, 1978.

Необходимо вместе с трудами высылать сведения об авторах.

ФИО
Место работы/учебы
Должность
Звание
Ученая степень
Контактный телефон
Электронный адрес
Прочее
Просмотреть профиль пользователя Просмотреть все сообщения этого пользователя

  Наверх

Powered by XMB 1.9.11
XMB Forum Software © 2001-2017 Группа XMB
[PHP: 11.9% - SQL: 88.1%]